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微波開關芯片的研究與設計
微波開關主要功能是控制信號的接收與發射, 當系統處于發射狀態時, 開關電路需要承受來自系統發射機發射的大功率信號, 開關電路的功率處理能力是重要的指標, 功率處理能力和線性度是緊密相關的, 它們都可以用 1dB 功率壓縮點衡量。 開關一般位于發射鏈路的最后一級和接收鏈路的級, 開關在發射狀態插入損耗越大意味著自功率放大器到達發射端口的信號功率越小, 即功率放大器效率越低, 而開關在接收狀態的插入損耗越大則意味著接收鏈路噪聲越大。 為避免發射大功率信號時接收端和發射端相互干擾而造成系統飽和、 毀壞或不穩定,隔離度是開關另一重要參數。 微波開關設計的成功與否, 由能否滿足這些關鍵性能參數直接衡量。 對于硅基 MOSFET 微波開關而言, 襯底的非絕緣特性和柵氧層的易擊穿特性使其難以在保證功率處理能力的前提下實現合乎規格的插入損耗,這是阻礙硅基 MOSFET 微波開關商用化的瓶頸 [20-36, 44-49] 。
2.1 插入損耗插入損耗是衡量微波開性能關最重要的性能參數之一, 它描述開關在導通狀態所引入的損耗, 常被表示為來自源的的可用功率與傳送到負載的功率之比。 串聯式開關電路處于導通狀態的原理圖如圖 2-1(a) 所示, 其等效電路可以用電阻
和電容建模。
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