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導讀：很多朋友不知道芯片電容中的超級電容器芯片制作方法，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答電容的制作方法簡介。

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超級電容器芯片的制作方法簡介②

4.如權利要求1中所述的超級電容器芯片的制備方法，其特征在于：步驟S3中所述正電極/負電極包括碳基材料、RuO 2 、NiO、Co 3 O 4 、MnO 2 、聚苯胺、聚吡咯、聚噻吩中的任一種。5.如權利要求1中所述的超級電容器芯片的制備方法， 其特征在于： 步驟S3中所述固態/準固態電解質包括PEO/LiCl、PVA/KOH+H 2 O、Li 2 S-P 2 S 5 PAAK/KOH+H 2O、PEO/KOH+H 2 O、PVA/H 2SO 4 、PVA/H 3 PO 4、PVA/LiCl中的任一種。6.如權利要求1中所述的超級電容器芯片的制備方法，其特征在于：步驟S4中所述封裝膜的材料包括聚二甲基硅氧烷，所述聚二甲基硅氧烷通過對所述多層膜進行包覆以實現封裝保護。7.一種超級電容器芯片，其特征在于：所述超級電容器芯片可利用如上述權利要求1-6中所述的超級電容器芯片的制備方法得到，所述超級電容器芯片包括在襯底上依次形成的兩個獨立設置的集流體、正電極、固態/準固態電解質膜及負電極，其中，兩個集流體分別電連接至所述導電線路，其中一集流與正電極電接觸，另一集流體與負電極電接觸，所述固態/準固態電解質膜設于所述正電極與所述負電極之間；所述襯底的材料為PET，所述集流體的材料為金屬銅， 所述正電極的材料為碳， 所述固態/準固態電解質膜的材料為PEO/LiCl，所述負電極的材料為碳，所述封裝膜的材料為聚二甲基硅氧烷。8.一種超級電容器，其特征在于：所述超級電容器利用多個如上述權利要求7中所述的超級電容器芯片進行串聯或并聯得到，且多個所述超級電容器芯片之間呈陣列分布。9.如權利要求8中所述的超級電容器，其特征在于： 所述導電線路包括引線和金手指，每一所述超級電容器芯片的所述正電極/負電極上均設有所述引線，所述金手指設于所述超級電容器陣列線路集中的一端，所述引線匯集至所述金手指處并與所述金手指連通。10.如權利要求9中所述的超級電容器，其特征在于： 所述超級電容器還包括電路控制模塊，所述電路控制模塊包括電芯陣列金手指端和用能端插拔口 ，所述用能端插拔口位于電路控制模塊遠離所述超級電容器的一側，所述用能端插拔口可插拔，通過對所述用能端插拔口的插拔可實現所述電路控制模塊對所述超級電容器的控制。

推薦產品一、麗芯微電 2200pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-40-25V-222
容值/容差：2200pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：1.016*1.016*0.150 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

推薦產品二、麗芯微電 22pF, ≥100G@100V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-20-100V-220
容值/容差：22pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.508*0.508*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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