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高電容密度硅基MIS芯片電容③

電容 器 的性 能 很 大 程 度 _j 取 決 于 介 質 層 的 質量 ，尤其 對 于 3D-M IS 電容 來說 ，刻 蝕 后孔 的 深 寬 比很 高 ，孔 內 介 質 均 勻 淀 積 的 難 度 很 大 。實 驗 采 用0 N () 復 合 介 質層 ，第 一 層 s i()  采 用 熱 氧生 長．第二層 Si。 N 與第 三 層 Si( )! 均 采 用 低 壓 化 學 氣 相 沉積( L ow  p ress ure ch em ic al  vapo r depo sitio n ，

推薦產品一、麗芯微電10000pF, ≥1G@25V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-90-25V-103
容值/容差：10000pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：2.290*2.290*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

推薦產品二、麗芯微電1000pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容

型號：C12-30-50V-102
容值/容差：1000pF / ±20%
溫度系數：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@50V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：0.762*0.762*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結構簡單，單面電極留有絕緣邊;采用MM結構，產品寄生參數小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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