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導(dǎo)讀：很多朋友不知道芯片電容的檢測方法，如何選擇芯片電容。射頻易商城RFeasy.cn為你解答芯片電容的檢測方法

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一種量子芯片電容檢測方法②

5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的量子芯片電容檢測方法，其特征在于：所述在所述基板的表面設(shè)置安放區(qū)，在所述安放區(qū)的兩邊緣處分別設(shè)置導(dǎo)電線和第二導(dǎo)電線，具體包括：在所述安放區(qū)的兩相對邊緣處分別設(shè)置導(dǎo)電線和第二導(dǎo)電線，所述導(dǎo)電線和所述第二導(dǎo)電線平行設(shè)置；或在所述安防區(qū)的兩相鄰邊緣處分別設(shè)置導(dǎo)電線和第二導(dǎo)電線，所述導(dǎo)電線和所述第二導(dǎo)電線交叉設(shè)置。

量子芯片在出廠時需要測試其實際電容，根據(jù)實際電容與量子芯片的設(shè)計電容之間的誤差大小來判斷量子芯片是否合格。目 前，常規(guī)的做法是直接在量子芯片的兩個極板上焊接銅絲并連接電容電橋進(jìn)行測試，但是由于量子芯片的體積較小，直接采用銅絲焊接極板的方式，焊接難度大，焊接后連接的穩(wěn)定性不好，且容易崩斷，使得量子芯片電容檢測的效率低下。

推薦產(chǎn)品一、麗芯微電 100pF, ≥100G@100V, 雙面不留邊 單層芯片電容

型號：C11-25-100V-101
容值/容差：100pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥100G@100V
損耗@頻率：≤4.0@1KHz
封裝尺寸：0.635*0.635*0.178 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

推薦產(chǎn)品二、麗芯微電 2200pF, ≥1G@25V, 雙面不留邊 單層芯片電容

型號：C11-40-25V-222
容值/容差：2200pF / ±20%
溫度系數(shù)：±15%@-55～+125℃
絕緣電阻@電壓：≥1G@25V
損耗@頻率：≤2.5@1MHz
封裝尺寸：1.016*1.016*0.150 mm
性能特點：尺寸小、容值大，結(jié)構(gòu)簡單，電極正面及反面均不留絕緣邊;采用MM結(jié)構(gòu)，產(chǎn)品寄生參數(shù)小，使用頻率高至100GHz;表面純金電極，適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊，以及Sn /Pb、導(dǎo)電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。

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