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射頻易商城_芯片電容_檢測微小電容的專用芯片⑥

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用于微小電容檢測的測頻專用芯片

在理想情況下, 當(dāng)兩個信號. 廠D和. 丘的相位完全重合時, 同步脈沖產(chǎn)生器才會產(chǎn)生一個同步脈沖, 這種重合的幾率是相當(dāng)小的。 實際上, 同步脈沖產(chǎn)生器有一定的檢測分辨率, 用6表示。 當(dāng)兩個信號的相位差小于6時, 同步脈沖產(chǎn)生器就會產(chǎn)生一個同步脈沖, 這樣就會給測頻帶來一定的誤差。 通過分析可知, 實際閘門信號開啟和關(guān)閉時信號, 。 的相位相對于, D的位置有四種情況。

(1)實際閘門開啟和關(guān)閉時均超前于廠0;
(2)實際閘門開啟和關(guān)閉時均滯后于To;
(3)實際閘門開啟時超前、 關(guān)閉時滯后于fo;
(4)實際閘門開啟時滯后、 關(guān)閉時超前于fo;假設(shè)在計數(shù)過程中被測信號的頻率恒定不變, 所以廠I的相位超前或者滯后于, o的時間相同, 假設(shè)都為z(ns)。 只有當(dāng)x<6時, 才會產(chǎn)生同步脈沖。
分析(1)、(2)兩種情況可知, 雖然同步脈沖產(chǎn)生器存在檢測分辨率6, 但它不會對測量精度產(chǎn)生影響。 而(3)、 (4)兩種情況會造成測量誤差, 波形示意圖如圖3—3所示。 測量值如式(3. 1)所示。
其中丘‘表示真實值。 由式(3—2)化簡得到:L’ -瓦U五xL萬(3-3)

所以在(3)和(4)兩種情況中, 由檢測分辨率造成的測頻相對誤差為:其中0: ⅣD, 0是實際閘門時間。 誤差£ 是兩個信號的相位差x和實際閘門時間t的函數(shù)。 由式(3—4)nN以看出, 實際閘門開啟和關(guān)閉時兩個信號的相位差越小、實際閘門時間越長, 則測頻精度越高。 本文采用通用0. 1跏m CMOS工藝, 利用多個反相器級聯(lián)的方法產(chǎn)生0. 56ns的延時時間, 即同步脈沖產(chǎn)生器的檢測分辨率6=0. 56ns。 式(3—4)中, 當(dāng)x=0. 56ns、 No=1000時的測頻相對誤差為占=0. 0112%。 由于實際電路需要滿足建立保持時間的要求, 只有當(dāng)(o. 56一x)大于建立保持時間時,同步脈沖產(chǎn)生器才會產(chǎn)生有效的同步脈沖控制計數(shù)器開始和停止計數(shù), 所以實際的測頻誤差會比理論計算出來的值更小。

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容值/容差:3300pF / 20%
溫度系數(shù):±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:20%
損耗@頻率:100V
封裝尺寸:0.8*0.8*0.5 mm
性能特點:電容器ESL小,諧振頻率高;適合鍵合組裝方式,與半導(dǎo)體芯片相同的裝配工藝;容量高,相比單層陶瓷電容器體積更小,可提供良好的溫度特性;應(yīng)用GaAs、GaN芯片的外圍電路;電路濾波與靜噪;微組裝電路中的濾波與靜噪;其他需要小型化的微組裝領(lǐng)域,可替代部分單層電容。


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