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小尺寸芯片電容加工工藝研究
3加工中的難點及改進措施因為小尺寸芯片電容尺寸偏小, 對線條精度和基板厚度一致性的要求更高, 所以相較于常規尺寸的芯片電容加工, 小尺寸芯片電容加工難度大。 同時由于外形較小, 劃切控制難度增加。因此, 針對小尺寸電容加工過程進行研究, 并在研究的基礎上改進了部分關鍵工藝。
3. 1基板厚度控制及篩選本研究使用的電容基板的介電常數在4 ooo; 左右,主要是以鈦酸鋇或其固溶體為主晶相的陶瓷材料。 該類基板通常是通過漿料流延燒結的方式制備的網。芯片電容屬于平行板電容器, 其整版內容值的均勻性不僅受線條尺寸的影響, 也受基板自身厚度提供一種矩陣電容板及芯片測試方法,矩陣電容板, 包括: 多條信號線、多條第二信號
線,設置在各條信號線與各條第二信號線的相交處的電容形成的電容矩陣,電容矩陣中包括至少兩種電容; 芯片測試方法包括,矩陣電容板的電容矩陣中設置至少兩種容值的電容,從而能夠模擬正常狀態(即未觸摸狀態) 和觸摸狀態的功能,并且能夠基于矩陣電容板的該功能實現對芯片的不同性能狀況的測試。
推薦產品一、麗芯微電 100pF, ≥1G@50V, 單面留邊 單層芯片電容
型號:C12-15-50V-101
容值/容差:100pF / ±20%
溫度系數:±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:≥1G@50V
損耗@頻率:≤2.5@1MHz
封裝尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
性能特點:尺寸小、容值大,結構簡單,單面電極留有絕緣邊;采用MM結構,產品寄生參數小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
推薦產品二、麗芯微電 10pF, ≥100G@100V, 單面留邊 單層芯片電容
型號:C12-15-100V-100
容值/容差:10pF / ±20%
溫度系數:±15%@-55~+125℃
絕緣電阻@電壓:≥100G@100V
損耗@頻率:≤4.0@1KHz
封裝尺寸:0.381*0.381*0.178 mm
性能特點:尺寸小、容值大,結構簡單,單面電極留有絕緣邊;采用MM結構,產品寄生參數小,使用頻率高至100GHz;表面純金電極,適合金絲、金帶等微組裝工藝;適合Au/Sn、Au/Si、Au/Ge 共晶焊,以及Sn /Pb、導電膠粘接;七專級/ 普軍級可選。
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