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導讀：很多朋友不知道低噪聲放大器的基本設計原理，如何選擇低噪聲放大器。射頻易商城RFeasy.cn為你解答Gain Block的基本設計原理。

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LNA的基本設計②

目前廣泛使用的是金屬半導體場效應管低噪聲放大器。 它的核心部件是金屬半導體場效應管（MESFET） 。 金屬半導體場效應管是用本征砷化鎵作為基片的襯底， 用特殊工藝形成源極（S） 、 柵極（G） 和漏極（D） 三個電極； 通過柵極電壓來控制漏極電流， 從而實現對小信號的放大功能。微波場效應管的主要參數有： 特征頻率、 單向功率增益和振蕩頻率、 最大輸出功率和噪聲特性。微波場效應管低噪聲放大器設計主要考慮的問題是計算輸入、 輸出匹配網絡和選擇工作點。 通常、 二級按最小噪聲系數設計， 中間級按高增益設計， 末級則保持良好的線性， 滿足系統互調特性的要求。微波場效應管低噪聲放大器的設計步驟：

大多數情況下晶體管的生產廠家提供相應型號的器件的噪聲參量和 S 參數。晶體管的噪聲參量和 S 參數也可以通過在實際工作點下， 測量所需頻段的噪聲參量和 S 參數得到。 

推薦產品一、麗芯微電1 to 30GHz, LXA1014 通用低噪聲放大器Die 裸芯片

頻率：1 ～30 GHz
增益：18dB
噪聲系數：2.5dB
-1dB輸出功率：16.0dBm
輸入回波損耗：-30dB
輸出回波損耗：-30dB
工作電流：70mA @+5V

推薦產品二、麗芯微電1 to 30GHz, LXA1015 通用低噪聲放大器Die 裸芯片

頻率：1 ～30 GHz
增益：17dB
噪聲系數：2.8dB
-1dB輸出功率：19.0dBm
輸入回波損耗：-30dB
輸出回波損耗：-20dB
工作電流：150mA @+8V